Intel Corporation завърши етапа на разработване на своя производствен процес от следващо поколение, който допълнително намалява размера на изграждащите чиповете елементи до 32 нанометра (1 нанометър е една милиардна част от метъра). Компанията се подготвя за производство по тази технология от бъдещо поколение, с употребата на още по-енергийно ефективни, по-гъсто поставени и по-високопроизводителни транзистори през четвъртото тримесечие на 2009 г.

Intel ще представи множество технически подробности за 32-нанометровата производствена технология, заедно с няколко други теми, по време на презентации на International Electron Devices meeting (IEDM) следващата седмица в Сан Франциско. Със завършването на етапа на разработване на 32-нанометровата производствена технология на компанията и с готовността за производство в този времеви порядък, означава, че Intel продължава да работи с темповете на своя амбициозен продуктов и производствен ритъм, наричан още „тик-так" ("tick-tock") стратегията на компанията.

Този план се фокусира върху това приблизително на всеки 12 месеца да се представя изцяло нова процесорна микроархитектура, а след това да се представя и върхов производствен процес - усилие, което остава ненадминато в индустрията. Производството на 32 нм чипове през следващата година ще отбележи четвъртата поредна година, в която Intel постига тази своя цел.

Докладът и презентацията на Intel за 32 nm процес описват логическа технология, която включва второто поколение на технологията high-k + metal gate, 193 nm имерсионна литография за critical patterning layers и усъвършенствани техники за транзистори. Тези характеристики усъвършенстват производителността и енергийната ефективност на процесорите на Intel. Производственият процес на Intel има най-висока производителност на транзисторите и най-голяма гъстота на транзисторите, в сравнение с всяка оповестена 32-нанометрова технология в индустрията.