Европейската комисия отпуска 319 млн. евро за гиганта в производството на полупроводници Infineon Technologies, с цел да подпомогне финансирането на модернизация на стойност 1,1 млрд. евро на завода му във Вилах, Австрия.

Инвестицията ще позволи на компанията да увеличи производството си и да създаде, според нейните собствени думи, първото в света съоръжение за масово производство на мощни полупроводници от галиев нитрид от ново поколение върху 300-милиметрови пластини, съобщава Euronews.

В съобщението на изпълнителния орган на ЕС се заявява, че мярката, предприета в рамките на Закона за чиповете, ще спомогне за „укрепване на позицията и автономността на ЕС във веригата на стойността на полупроводниците“.

ЕС се стреми да намали зависимостта си от вноса на полупроводници от трети държави и да се утвърди като технологичен лидер редом със САЩ и Китай. Блокът има за цел да увеличи дела си в световното производство на полупроводници от 10% през 2023 г. до 20% до 2030 г.

„Законът за чиповете“ също така има за цел да стимулира търсенето на чипове, произведени в Европа, и да подпомогне разрастването на местните доставчици.

Infineon Technologies заявява, че инвестицията ще превърне завода ѝ във Вилах в „глобален център за компетентност в областта на силовите полупроводници“.

Австрийският канцлер Кристиан Стокер заявява, че проектът е „една от най-големите инвестиции в историята на австрийската високотехнологична индустрия“. „Това не е само силен ангажимент към Австрия като бизнес дестинация, но и допринася бъдещето на полупроводниковата индустрия да не се оформя единствено в Азия или САЩ, а и в Австрия и Европа“, допълва той.

Infineon Technologies, немска компания, специализирана в енергийни системи и полупроводници за автомобилната индустрия, притежава 29% пазарен дял в първия сектор и 50% в сектора на автомобилните чипове.

„Тази значителна инвестиция показва нашия ясен ангажимент към укрепването на европейската екосистема за полупроводници и технологичната суверенност на Европа“, заявява Йохан Ханебек изпълнителен директор.

„Чрез въвеждането на масово производство върху 300-милиметрови пластини ще сме първата компания в света, която ще въведе в масово производство силова електроника на базата на галиев нитрид“, допълва той.

Компанията твърди, че е първата, която през 2024 г. е успяла да обработи 300-милиметрови пластини от галиев нитрид (GaN). Мощните полупроводници от GaN все по-често заменят силициевите в силовата електроника, тъй като издържат на по-високи напрежения, превключват по-бързо и понасят по-високи температури.

Те се използват в зарядни устройства за смартфони, лаптопи и таблети, и в центрове за данни с изкуствен интелект, електромобили, слънчеви панели, вятърни турбини, телекомуникационни базови станции 5G и 6G и роботи.

Енергийната им ефективност ги прави особено полезни в приложения, където ниското енергопотреблението е от съществено значение.

300-милиметровите пластини са по-големи от конвенционалните 200-милиметрови, което позволява да се произвеждат 2,3 пъти повече отделни чипове на пластина и намалява производствените разходи.

Очаква се пазарът на GaN силови полупроводници да достигне приблизително 3,1 милиарда долара до 2031 г., годишен ръст от около 35% между 2025 и 2031 г.

Очаква се окончателната модернизация на завода в Австрия да приключи през 2034 г.